안녕하세요:)
네이버 블로그에 글을 작성하는건 처음이네요
네이버 블로그에 글을 작성하는건 처음이네요
저는 재료공학을 전공하였고 현재 취준생으로 반도체/디스플레이 분야를 준비하고 있습니다. 그러다 보니 반도체를 중점적으로 취업준비를 많이 하였네요.
그런데 부끄러운 이야기지만 대학교 시절 반도체 수업을 꽤나 열심히 들었음에도 불구하고 수강한 지 시간이 오래 되다 보니 기초에 관하여 막상 누군가 물었을 때나 면접에서 대답이 술술 나올 자신이 조금 부족했습니다.
그러던 중 지난 주 해커스잡 반도체 체험단에 선정되어 강의를 수강하게 되었고,
그 기간동안 수업을 들으며 느꼈던 내용들을 정리하며 간단한 후기를 작성하려 합니다.
그 기간동안 수업을 들으며 느꼈던 내용들을 정리하며 간단한 후기를 작성하려 합니다.
사실 유료 사이트에서 강좌로 반도체를 공부한 것이 처음이라 타 사이트와의 비교보다는 스스로 좋았던 점에 대해서 말씀드리고 싶습니다.
해커스잡 반도체 핵심완성 강의를 들으며 좋았던 점을 말씀드리자면
아무래도 유튜브나 SNS, 개인 블로그 등에서 이젠 너무도 쉽게 접할 수 있는 반도체 공정과 이론들은 너무나 많지요. 오히려 필요한 정보를 찾는 것이 어렵다고 해도 과언이 아니라 생각합니다. 저 또한 면접 자료들을 찾으며 꼭 필요한 부분들을 취사선택하는데 많은 시간을 할애했었거든요.
그러한 면에서 보자면 상투적인 말이겠지만 반도체를 준비하는 취준생들에게 필요한 정보만을 골라주셔 헤멜 필요 없이 기초부터 차근차근 접할 수 있다는 점이 해커스잡 반도체강좌의 큰 장점이라고 생각합니다. 저같은 전공자뿐만이 아닌 비전공자들에게도 기초적인 내용을 덧붙여 빠른 이해를 도와주었구요.
또한 앞서 말씀드린 블로그나 유튜브와는 다르게 (개인적인 의견입니다) 이해하기 어려웠던 부분을 쉽게 설명해 준다는 느낌을 받았습니다.
특히나 해커스잡 반도체강좌에 도움을 받았던 부분이 있었습니다.
말씀드렸다시피 저는 기초 부분이 부족해 수강을 통해 도움을 받으려 했는데
대학교 수업 당시 전자 에너지 준위와 밴드갭을 교수님께 아무리 들어도 이해할 수가 없어 혼자 전공 서적도 찾아보고 교수님께 질문도 드리며 공부를 했지만 소득이 없어 결국 외웠던 창피한 기억이 있습니다...
강의 전까지도 그 부분은 확실하게 이해하지 못했었는데요,
김동민 선생님께서 에너지 준위와 밴드갭 부분을 자세히 설명해주시며(사실 저는 처음엔 이해가 안되어서 이부분은 세번정도 돌려 봤습니다..ㅎ) 완전한 이해를 할 수 있었습니다!
아직 수강하지 못한 강좌들은 차근차근 수강하며 확실한 반도체 개념을 잡고 성공적으로 취준생활을 마무리하고 싶습니다!
수업 내용으로 말씀드리자면
우선 첫주차에는 반도체를 구성하는 실리콘과 이것의 결합구조,
산업 내용과 8대 공정을 공부하였고
두번째 주차에는 반도체의 물리적 특성, 즉 에너지 밴드와 페르미 레벨,
p-n junction과 Doping Concentration에 따른 특성 변화,
Oxidation 공정과 CMP에 관하여 공부하였습니다.
해커스잡 반도체 핵심완성 강좌를 수강하며 정리했던 반도체 면접 예상 질문들과 그 답변을 정리해 보았는데 필요한 분들께 작은 도움이나마 된다면 기쁠 것 같아 공유합니다:)
- 반도체를 한마디로 정의한다면?
온도와 불순물을 조절하여 전기 전도로를 제어할 수 있는 물질
예를 들어 14족 Si에 13족 B를 첨가하거나 15족 P를 첨가하여 반도체의 특성을 정하게 됩니다.
예를 들어 14족 Si에 13족 B를 첨가하거나 15족 P를 첨가하여 반도체의 특성을 정하게 됩니다.
- 반도체 산업의 특성 서술하시오
Value chain 즉 가치 창출 분야를 기준으로 잡으면
반도체의 설계를 담당하는 팹리스
팹리스로부터 도면을 받아 대량생산하는 파운드리
완성된 칩의 포장과 검사를 담당하는 패키징&테스트 기업이 있습니다.
그리고 이 세가지를 모두 수행하는 종합 반도체 기업, 즉 IDM 이 있습니다.
- 반도체 8대 공정 전반에 대해 설명하시오
- 반도체 8대 공정 전반에 대해 설명하시오
1. Wafer제조에 사용되는
초크랄스키 방법(대부분 양산) 또는 플로팅 존 방법(고순도, but 생산성이 낮음, 즉 연구용)
2. 산화막을 형성하는 oxidation 공정
3. wafer 표면에 패턴을 형성하는 포토 공정(미세화에 결정적 역할을 하므로 매우 중요한 공정)
4. 기판상의 불필요한 부분을(PR이 보호하지 않는 부분) 제거하는 에칭 공정
5-1. CVD 혹은 PVD를 통해 얇은 막을 형성하는 박막 증착
(리소공정과 더불어 IDM 기업의 가장 큰 경쟁력-얼마나 작게 만들 수 있는가)
(리소공정과 더불어 IDM 기업의 가장 큰 경쟁력-얼마나 작게 만들 수 있는가)
5-2. 원하는 깊이만큼 이온을 주입하여 불순물을 집어넣는 이온 주입 공정
6. 회로패턴을 따라 전기 배선을 연결하는 금속 배선 공정(Metalization)
7. wafer상태의 개별 chip 불량품 판정하는 EDS(검사)공정
8. 외부환경으로부터 보호하는 패키징 공정
0. 공정 중간중간 CMP(Chemical/Mechanical Polishing) 으로 불균일한 표면의 평탄화 작업
-전자 에너지 준위에 대하여 설명하시오
원자의 전자들은 에너지 준위를 갖고 있어 순서대로 껍질을 차지합니다.
하지만 원자가 가까워질수록 최외각껍질이 겹쳐지며 에너지 준위가 겹쳐집니다.
겹쳐진 주위는 파울리 베타 원리에 의해 일직선에 존재가 불가능합니다.
따라서 가까운 두줄로 위치하게 됩니다. 이러한 원자가 수조개로 늘어나며 하나의 선이 둘 셋 넷... 무한하게 늘어나며 마치 띠처럼 보여지게 됩니다.
이것이 바로 에너지 밴드입니다.
하지만 원자가 가까워질수록 최외각껍질이 겹쳐지며 에너지 준위가 겹쳐집니다.
겹쳐진 주위는 파울리 베타 원리에 의해 일직선에 존재가 불가능합니다.
따라서 가까운 두줄로 위치하게 됩니다. 이러한 원자가 수조개로 늘어나며 하나의 선이 둘 셋 넷... 무한하게 늘어나며 마치 띠처럼 보여지게 됩니다.
이것이 바로 에너지 밴드입니다.
-밴드갭이란 무엇인지 설명하시오
실리콘의 경우 세번째 껍질은 3s와 3p로 나누어집니다. 3s에는 전자가 두개,
3p에는 전자 2개와 4개의 정공이 존재합니다.
원자간 거리가 가까워질수록 3p 오비탈과 3s 오비탈이 오버랩되며 전자와 정공의 에너지 준위가 나누어집니다.(파울리 베타 원리에 의하여)
가까워질수록 각 에너지 준윅아 스플릿되며 전자로 가득찬 Valance Band(가전자대)와 Conduction Band(전도대)로 나누어집니다.
그리고 그 사이에 전자들이 안정적으로 존재할 수 없는 구역을 밴드갭이라 부릅니다.
간단하게 지난 수업동안 들은 내용들을 면접 기출 문제로 정리하여 보았습니다.
다들 열심히 반도체 공부하여 원하는 곳에 취업할 수 있길 응원하겠습니다!
그리고 그 과정에 해커스잡 반도체 핵심과정 수업을 들으신다면 큰 도움이 될 것이라 생각합니다:)
화이팅!!!!
